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现在我们来分析为什么不能用电压变压器来替代电流互感器?已经知道副边电压只有2V，因此原边电压为2V/200=100mV。如果输入直流电压为48V，那么电流互感器原边10mV电压对48V电压来说是微不足道的——那样你可以在副边得到50mA的电流，而对原边几乎没有什么影响。设另一种情况(不现实的)，原边的输入直流电压只有5mV，那么互感器的原边不可能有10mV的电压，同时由于原边阻抗(如反射副边阻抗)也比较大，决定了副边根本不可能产生50mA的电流。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

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需用适当方式尘垢。各种纯铜废料，主要包括铜材厂和铜厂产生的纯铜的边角料、切头、废次材、半成品、线材、废品等；允许有报废的纯铜裸线和铜管等其它纯铜制品，但不许有水垢、油污、涂层等；废铜料中不允许含有任何杂质和铜合金，也不许含有毛丝、车屑、磨屑和厚度小于1mm的铜板。其实他们都叫紫铜，不过市场比较多的那种叫紫杂铜，铜含量在80%左右，还有黄铜也的比较多的废金属品种，一般的黄铜是59黄铜就是含纯铜59%的，其余的成分以锌为主，这种铜也叫黄杂铜。经营理念：信守于胸，惠至于人。服务铸就形象，信誉成就辉煌。电线电缆：长期高价各类废旧电线电缆、氟塑料电线电缆、绝缘电线电缆、数据电线电缆、MC电线电缆、补偿电线电缆、加热电线电缆、船用电线电缆、矿用电线电缆、高温电线电缆、阻燃电线电缆服务。

三相异步电动机空载运行过程中，去测量电动机电流时，总会产生10%左右的电流差，一般有以下几个方面的原因:三相电源电压不平衡引起，但此时三相电压相差较小(一般小于0.5%)电动机磁路不均匀或三相绕组匝数不相等。如何判断空载运行电流差是电源电压引起的还是电动机自身引起的？1.通过调换三相电源线与电动机出线端的连接顺序，观察空载电流的变化。如果电动机电流大小的顺序随电源相序的变化而变动，也就是总是某一相电源的C相电流，则三相空载电流差是由三相电源电压引起的。一个很重要的需要注意的一点是，高的分辨率并不代表高的精度。，两个同样精度的旋转编码器,一个分辨率是3600PPR,而另外一个是10000PPR。低分辨率的编码器(3600PPR)可以0.1°的测量距离，而高分辨率的编码器可以一个更小的测量距离，但是二者的精度是相同的，高分辨率编码器仅仅是具有将0.1°缩小到更小的增量距离的能力。编码器分辨率和精度是两个独立的概念，如上图所示，两个编码器具有相同的分辨率(24PPR)但是具有不同的精度。剩下不亮的全是地线。 简单的，拿个220V的灯泡，用电笔确定火线后，分别用两棵线和火线接在灯头上，从亮度上就可以区别零和地.亮的是零，稍暗的是地.用万用表将万用表置于交流档500v，手捏一表笔，另一表笔分别触接电源线，有电压高的是火线，低的是零线，电压为0的是地线。零线对地电阻小于4欧为可靠接地。用万用表置于交流档地250v测火线与零线、火线与地线的压差，两值相差在5v以下为可靠接地。接错的后果因为是交流电，所以火和零互换对电器没什么影响。三角形接法和星形接法，其实都不难。星形接法，其实就是把电动机的三个绕组，其中的一端头或者尾连接在一块，另一端尾或者头分别接三相电源。而三角形接法，就是把电动机的三个绕组依次连接以后，再接三相电源。比如，电动机的三个绕组头分别是1，2，3；尾分别是4，5，6那么，三角形接法就是1连接4，2连接6，3连接5。本文中的问题是电动机出线已经没有标识了，那么，步要的就是，区分三个绕组的“头和尾”。利用万用表毫安挡测量，原理是剩磁发电原理:将电动机的三绕组中每一绕组的一根引出线接在一起默认是头，并好标识，余下三根引出线（每个绕组一根）也接在一起。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。