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为什么回路电流走零线不走地线，而漏电流走地线不走零线，零线地线原理是什么？这是由配电系统的接线方式决定的。~为三相五线制接线示意图。以L1相、单相设备为例。三相变压器次级线圈产生的交流电压，经L1相线圈首端(火线)L1线单相设备零线(N)回到线圈末端，形成回路，满足了产生电流的必要条件，即有电源和闭合回路，因而产生了工作电流，使设备正常工作。~为带漏电保护空。再来看看保护地线(PE)的接法。从图可见，在变压器端零线(N)和保护地线(PE)接法没有不同，但在设备端就完全不同了，它只接金属外壳或其它与火线和零线都绝缘的导电金属部分，因此正常情况下，保护地线(PE)与电源之间没有形成回路，因而也就没有电流。

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电容器的技术要求如下：为了节省面积，高压电容器可以分层于铁架上，但垂直放置层数应不多于三层，层与层之间不得装设水平层间隔板，以保证散热良好。上、中、下三层电容器的位置要一致，向外。高压电容器的铁架成一排或两排布置，排与排之间应留有巡视检查的走道，走道宽度应不小于1.5m.3）高压电容器组的铁架必须设置铁丝网遮拦，遮拦的网孔3～4cm2为宜。高压电容器外壳之间的距离，一般不应小于10cm；低压电容器外壳之间的距离应不小于50mm。根据光耦的导通特性，该电路的零点指示滞后实际交流电发生的零点。滞后时间可以根据光耦的导通电流计算，NEC2501的典型值是10ma，实际上，当前向电流达到1ma的时候光耦一般就已经导通 ,则电压为141V，相应的滞后零点时间约为1.5ms。设0.5ma导通则电压为70V，则滞后时间为722us。光耦导通时间较长，即光耦电流由0变为导通电流这个渐变过程较长，导致光耦特性边缘时间差异明显，产品一致性差。由此可以判断，此时黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。对于PNP型三极管，道理类似。测不准，动嘴巴如果在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，由于颠倒前后两次测量指针偏转角度都很小，实在难以区分，就要“动嘴巴”了，具体方法是，在“顺箭头，偏转大”的判别方法的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部位，用嘴巴含住基极，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分出来集电极和发射极，其中原理是由于人体起到直流偏置电阻的作用，湿测量效果更加明显。如果我高声对你喊叫，“区别什么有这样？”这种语法结构显然让人难懂，但如果我按从右到左的顺序说，“这样有什么区别？”那么你马上就能理解了。虽然许多半导体公司赚了很多钱，并很多支持，但很多时候他们专注于芯片内部，而不到正确的原理图流向()。：目前许多公司画的原理图符号模仿的是元件的引脚图，而不是信号流向。中的六反相器U1不是很实用。它将6个反相器在一个符号中，并且左边和右边都有输入输出。引脚长度也不需要那么长。